SSM6L820R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Leistung – Max.: 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP-F
Basisproduktnummer: SSM6L820