SSM6N813R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Leistung – Max.: 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur: 175°C
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP-F
Basisproduktnummer: SSM6N813