HS8MA2TCR1 Rohm Semiconductor FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5A (Ta), 7A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Leistung – Max.: 2W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten: DFN3333-9DC
Basisproduktnummer: HS8MA2