IPG20N04S4L18AATMA1 Infineon Technologies FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??T2
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V
Leistung – Max.: 26W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount, Wettable Flank
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TDSON-8-10
Basisproduktnummer: IPG20N