PJQ1821_R1_00001 Panjit International Inc. FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Panjit International Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Not For New Designs
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 600mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 10V
Leistung – Max.: 400mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-UFDFN
Gerätepaket des Lieferanten: DFN1010-6L
Basisproduktnummer: PJQ1821