PJS6602_S2_00001 Panjit International Inc. FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Panjit International Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Not For New Designs
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel Complementary
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.2A (Ta), 3.4A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 396pF @ 10V, 522pF @ 10V
Leistung – Max.: 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-6
Basisproduktnummer: PJS6602