MSCSM120TLM50C3AG Microchip Technology FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 55A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 1000V
Leistung – Max.: 245W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: SP3F
Basisproduktnummer: MSCSM120