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GT090N06D52 Goford Semiconductor FET-MOSFET-Arrays

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
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Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: SGT
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 40A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Leistung – Max.: 62W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-DFN (4.9x5.75)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer: GT090N06

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  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
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    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}