Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration: 2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V (1.7kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 523A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 270A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 22.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1602nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 29700pF @ 1000V
Leistung – Max.: 2.4kW (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: -
Basisproduktnummer: MSCSM170
