MSCSM170AM23CT1AG Microchip Technology FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration: 2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V (1.7kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 124A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 356nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 1000V
Leistung – Max.: 602W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: -
Basisproduktnummer: MSCSM170