MSCSM170HM12CAG Microchip Technology FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration: 4 N-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V (1.7kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 179A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 90A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 7.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 534nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 1000V
Leistung – Max.: 843W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: -
Basisproduktnummer: MSCSM170