DMG1016UDWQ-7 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Not For New Designs
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel Complementary
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V
Leistung – Max.: 330mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-363
Basisproduktnummer: DMG1016