DMTH10H032LPDWQ-13 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 24A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Leistung – Max.: 3W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Basisproduktnummer: DMTH10