G1NP02LLE Goford Semiconductor FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Leistung – Max.: 1.25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-6L