G05NP10S Goford Semiconductor FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: -
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5A (Tc), 6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V, 200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 797pF @ 25V, 760pF @ 25V
Leistung – Max.: 3W (Tc), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP