G100C04D52 Goford Semiconductor FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: -
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 40A (Tc), 24A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, 16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2213pF @ 20V, 2451pF @ 20V
Leistung – Max.: 65W (Tc), 50W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DFN (4.9x5.75)