G05NP04S Goford Semiconductor FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: -
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.5A (Tc), 10A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1A, 10V, 37mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V, 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 516pF @ 20V, 520pF @ 20V
Leistung – Max.: 2W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP