DMT35M8LDG-13 Diodes Incorporated FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Leistung – Max.: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten: PowerDI3333-8 (Type G)