MSCSM120AM03CT6LIAG Microchip Technology FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration: 2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 805A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 400A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2320nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30200pF @ 1kV
Leistung – Max.: 3.215kW (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: SP6C LI
Basisproduktnummer: MSCSM120