HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: N and P-Channel
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Leistung – Max.: 3W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten: 8-HSOP