CCB016M12GM3 Wolfspeed, Inc. FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
Technologie: Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration: 6 N-Channel
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 50A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 20.8mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 23mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 1000V
Leistung – Max.: 10mW
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: Module