SI1965DH-T1-BE3 Vishay Siliconix FET-MOSFET-Arrays

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Verpackung: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teilestatus: Active
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration: 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion: -
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Leistung – Max.: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten: SC-70-6
Basisproduktnummer: SI1965