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NE3513M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation HF-FETs MOSFETs

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Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
Technologie: GaAs HJ-FET
Konfiguration: N-Channel
Frequenz: 12GHz
Gewinnen: 13dB
Spannungsprüfung: 2 V
Nennstrom (Ampere): 60mA
Rauschzahl: 0.65dB
Strom - Test: 10 mA
Leistung – Ausgang: 125mW
Nennspannung: 4 V
Verpackung / Koffer: 4-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten: 4-Super Mini Mold

Datasheet

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