DMP2005UFG-7 Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerDI3333-8
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: DMP2005