DMT10H015LCG-13 Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: V-DFN3333-8
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: DMT10