ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Basisproduktnummer: ZXMN3