DMN53D0LW-13 Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 50 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 360mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 320mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-323
Verpackung / Koffer: SC-70, SOT-323
Basisproduktnummer: DMN53