DMN2320UFB4-7B Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 520mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: X2-DFN1006-3
Verpackung / Koffer: 3-XFDFN
Basisproduktnummer: DMN2320