DMN67D8LT-7 Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 210mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 821 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 260mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-523
Verpackung / Koffer: SOT-523
Basisproduktnummer: DMN67