BS107P Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 120mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): ±20V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 500mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basisproduktnummer: BS107