DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 10 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DFN3020B (3x2)
Verpackung / Koffer: 8-VDFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: DMS2120