AUIRLR3636TRL Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 50A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 143W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D-Pak
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: AUIRLR3636