AUIRF7737L2TR Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 31A (Ta), 156A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5469 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DIRECTFET L6
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric L6
Basisproduktnummer: AUIRF7737