AUIRF1324WL Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 24 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 240A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 19 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-262-3 Wide
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Wide Leads
Basisproduktnummer: AUIRF1324