BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 500mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT23
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: BSS806