IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 28W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3-FP
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: IPA65R650