IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??G7
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 120W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-HDSOP-10-1
Verpackung / Koffer: 10-PowerSOP Module
Basisproduktnummer: IPDD60