IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 25.7W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3-FP
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: IPA50R950