IPA60R600P7SXKSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 21W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-FP
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: IPA60R600