IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 700 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 6.3W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT223
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA
Basisproduktnummer: IPN70R1