IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CP
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 96W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-VSON-4
Verpackung / Koffer: 4-PowerTSFN
Basisproduktnummer: IPL60R299