IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 5W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT223
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA
Basisproduktnummer: IPN65R1