IRF6216TRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)