IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 800 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 84W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO252-3
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: IPD80R