IRFH5215TRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PQFN (5x6)
Verpackung / Koffer: 8-VQFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: IRFH5215