BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 260mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT223-4
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA
Basisproduktnummer: BSP92PH6327