IPI65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CFD2
Paket: Tube
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 17.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 151W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO262-3
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Basisproduktnummer: IPI65R190