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IPSA70R450P7SAKMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
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Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paket: Tube
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 700 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V
Vgs (Max): ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 50W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO251-3
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basisproduktnummer: IPSA70

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  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
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    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}