IRF6613TRPBF Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DIRECTFET??MT
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric MT
Basisproduktnummer: IRF6613