IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??C7
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 171W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO247-3
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: IPW65R065